隨著數(shù)碼電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度越來(lái)越快，TDK電容成為電子設(shè)備使用最多的電子元件之一。然而了解TDK電容的性能參數(shù)的人很少，今天歐凱鑫銳的技術(shù)人員為大家分享一下TDK的性能都有哪些參數(shù)吧！

1、絕緣電阻

直流電壓加在TDK電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱(chēng)為絕緣電阻.當(dāng)TDK電容較小時(shí)，主要取決于TDK電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，緣電阻越小越好。TDK電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量TDK電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于TDK電容的絕緣電阻與容量的乘積。

2、損耗

TDK電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類(lèi)TDK電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，TDK電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和TDK電容所有金屬部分的電阻所引起的。在直流電場(chǎng)的作用下，TDK電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場(chǎng)的作用下，TDK電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。

3、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在TDK電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在TDK電容器外殼上，如果工作電壓超過(guò)TDK電容器的耐壓，TDK電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。

4、標(biāo)稱(chēng)電容量和允許偏差

標(biāo)稱(chēng)TDK電容量是標(biāo)志在TDK電容器上的電容量。

TDK電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱(chēng)電容量的偏差稱(chēng)誤差，在允許的偏差范圍稱(chēng)精度。

精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1、0（02）-±2、Ⅰ-±5、Ⅱ-±10、Ⅲ-±20、Ⅳ-（ 20-10）、Ⅴ-（ 50-20）、Ⅵ-（ 50-30）。

以上就是歐凱鑫銳分享的TDK電容的性能有哪些參數(shù)。一般TDK電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)，電解TDK電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí)，根據(jù)用途選取。隨著使用頻率的上升，一般TDK電容器的電容量會(huì)呈現(xiàn)下降的規(guī)律。